您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > S字母型号搜索 > S字母第415页 > SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3中文资料

SI9435BDY-T1-E3图片

SI9435BDY-T1-E3外观图

  • 大小:93KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SI9435BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:42 毫欧 @ 5.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI9435BDY-T1-E3TR

SI9435BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-11 10:52:37
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SI9435BDY-T1-E3

    SI9435BDY-T1-E3
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 11

  • VISHAY

  • SOP/05+

  • 一定原装房间现货

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购SI9435BDY-T1-E3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的SI9435BDY-T1-E3信息由会员自行提供,SI9435BDY-T1-E3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买SI9435BDY-T1-E3产品风险,建议您在购买SI9435BDY-T1-E3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。